絕緣劣化及離子遷移特性評價系統(tǒng) 用 途：
面對電子產(chǎn)品越來越小型輕量及高密度封裝，因結露吸濕等因素造成的絕緣不好現(xiàn)象暨離子遷移現(xiàn)象日益突出，絕緣電阻劣化（離子遷移）評估系統(tǒng)配之以高溫高濕試驗箱聯(lián)動，可高精度連續(xù)監(jiān)測，高效簡便評估因離子遷移現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關問題。
絕緣劣化及離子遷移特性評價系統(tǒng)適用標準：
JPCA-ET04、IPC-TM-650_2.6.3F 、IPC-TM-650_2.6.3.1E、IPC-TM-650_2.6.3.4A 、IPC-TM-650_2.6.3.6。
絕緣劣化及離子遷移特性評價系統(tǒng) 技術規(guī)格：
|
產(chǎn)品名稱 |
絕緣劣化及離子遷移特性評價系統(tǒng) |
|||||||||||
|
型號 |
SIR13 |
|||||||||||
|
120V基板 |
250V基板 |
500V基板 |
1000V基板 |
|||||||||
|
基板測試部 |
測試電阻范圍 |
320Ω～120TΩ |
320Ω～2.5TΩ |
320Ω～250TΩ |
320Ω～500TΩ |
320Ω～1000TΩ |
||||||
|
測試通道數(shù) |
8ch/基板 |
16ch/基板 |
8ch/基板 |
|||||||||
|
連接電纜 |
2根一對/基板 4線式 |
2根一對/基板 加載測試電纜×2 |
2根一對/基板 加載電纜×1、測試電纜×1 |
|||||||||
|
電氣特性 |
電 壓 加 載 部 |
加載電壓 |
電壓量程1 |
0.10V～120.00V |
0.1V～250.0V |
1.0V～500.0V |
1.0V～1000.0V |
|||||
|
電壓量程2 |
0.100V～12.000V |
-- |
-- |
-- |
||||||||
|
加載設定分辨率 |
0.10V/0.001V |
0.1V |
||||||||||
|
基本加載精度 |
±0.3%/FS |
±0.3%/FS + 0.5V/FS |
||||||||||
|
較大輸出功率 |
96mW/ch |
256mW/8ch |
300mW/ch |
|||||||||
|
加載組數(shù) |
1組（1ch/1組） |
2組（8ch/1組） |
1組（8ch/1組） |
|||||||||
|
加載量程 |
2量程 |
1量程 |
||||||||||
|
加載通道數(shù) |
1ch |
8ch |
||||||||||
|
較大負載容量 |
2.0μF/1ch |
0.47μF/8ch |
3300pF/1ch |
|||||||||
|
電 壓 顯 示 器 |
顯示器量程 |
2量程 |
1量程 |
|||||||||
|
顯示器 范圍 |
電壓量程1 |
0.00V～120.00V |
0.0V～250.0V |
0.0～500.0V |
0.0V～1000.0V |
|||||||
|
電壓量程2 |
0.000V～12.000V |
-- |
-- |
-- |
||||||||
|
顯示器分辯率 |
0.10V/0.001V |
0.1V |
||||||||||
|
基本顯示器精度 |
±0.3%/FS |
±0.3%/FS + 0.5V/FS |
||||||||||
|
顯示器分割單位 |
1ch |
1組或1ch |
1ch |
|||||||||
|
顯示器周期 |
40ms |
|||||||||||
|
顯示器通道數(shù) |
8ch |
16ch |
8ch |
|||||||||
|
電 流 測 試 |
測試量程 |
3量程 |
2量程 |
3量程 |
||||||||
|
顯示器 范圍 |
電流量程1 |
0.00μA～320.00μA |
||||||||||
|
電流量程2 |
0.0000μA～3.2000μA |
|||||||||||
|
電流量程3 |
0.00nA～32.000nA |
-- |
0.000nA～32.000nA |
|||||||||
|
量程設定 |
320.00μA·3.2000μA ·32.000nA·自動 |
320.00μA·3.2000μA·自動 |
320.00μA·3.2000μA·32.000nA·自動 |
|||||||||
|
測試較小分辨率 |
電流量程1 |
10nA |
10nA |
10nA |
||||||||
|
電流量程2 |
100pA |
100pA |
100pA |
|||||||||
|
電流量程3 |
1pA |
1pA |
1pA |
|||||||||
|
基本測試精度 |
±0.3%/FS |
|||||||||||
|
通道數(shù) |
8ch |
16ch |
8ch |
|||||||||
|
數(shù)據(jù)收錄周期 |
定期30s（較小）/離子遷移時40ms（較小） |
|||||||||||
|
離子遷移測試速度 |
40ms |
|||||||||||
|
漏泄檢出 |
400μs/ch |
|||||||||||
|
測試周期 |
40ms |
|||||||||||
|
其他功能 |
自己診斷 |
外接標準電阻診斷 ※選配 |
||||||||||
|
連鎖 |
箱體門打開時，測試自動中斷功能 ※選配 |
|||||||||||
|
斷線檢出 |
端子斷線檢出功能 |
-- |
||||||||||
|
試驗槽內(nèi)溫濕度收錄 |
追加溫濕度測試基板、借助3CS·keyless軟件較大可以收錄4個槽的數(shù)據(jù) ※選配 |
|||||||||||
|
樣品溫度收錄 |
通過3CS SMU 每個通道能夠收錄1個點 ※選配 |
|||||||||||
|
系統(tǒng)較大構成 |
SIR13 |
80ch（10基板） |
160ch（10基板） |
80ch（10基板） |
||||||||
|
SIR13mini |
24ch（3基板） |
48ch（3基板） |
24ch（3基板） |
|||||||||
|
控制部 |
系統(tǒng)控制電腦 |
Windows XP Pro.SP2適于Windows2000） Pentium 500MHz以上 內(nèi)存256Mbyte以上 |
||||||||||
|
測試部的連接 |
GP-IB 或Ethernet |
|||||||||||
|
其他 |
停電對策 |
停電發(fā)生前保存收錄數(shù)據(jù)，并且通電后能夠繼續(xù)收錄 ※不停電電源必須 |
||||||||||
|
控制單元 |
結構類型 |
SIR13 |
SMU 10插槽式 外形尺寸:W430×H300×D620 ※不包含突起部分 重量：約30kg（SMU 10枚配備時） 消耗電流：5A以下（100V使用時） |
|||||||||
|
SIR13mini |
SMU 3插槽式 外形尺寸:W220×H370×D390 ※不包含突起部分 重量：約20kg（SMU 3枚配備時） 消耗電流：2A以下（100V使用時） |
|||||||||||
|
耐噪聲能力 |
1μs脈沖 2KV 1分鐘 |
|||||||||||
|
絕緣電阻 |
DC500V 100MΩ以上 |
|||||||||||
|
使用電源 |
AC85V～264V 50/60Hz |
|||||||||||
|
使用環(huán)境 |
溫度+10℃～+40℃ 濕度75%RH以下（無結露） |
|||||||||||
|
保存環(huán)境 |
溫度-10℃～+ 60℃ |
|||||||||||
絕緣劣化及離子遷移特性評價系統(tǒng) 產(chǎn)品圖片
